एक नई फोटोनिक, कार्यात्मक मेमोरी टी पर आधारित ऑक्साइड तिरछी नैनोरोड सरणियों में जिसमें स्विचिंग विशेषताओं को संशोधित करने के लिए ऑप्टिकल और इलेक्ट्रिकल उत्तेजना दोनों का उपयोग किया जा सकता है, उच्च घनत्व और उच्च दक्षता कंप्यूटिंग सिस्टम विकसित करने की क्षमता दिखाता है ।

वर्तमान में, दुनिया भर में विभिन्न अनुसंधान समूह गैर-वाष्पशील, अल्ट्राफास्ट, विश्वसनीय, कार्यात्मक मेमोरी सिस्टम को डिजाइन और साकार कर रहे हैं जो पारंपरिक सिलिकॉन-आधारित फ्लैश मेमोरी से बेहतर प्रदर्शन करते हैं। इस बड़े डेटा युग में, डेटा भंडारण उपकरणों की एक नई श्रेणी जो मौजूदा मेमोरी प्रौद्योगिकियों की भौतिक सीमाओं को पार कर सकती है, का सख्ती से पालन किया जा रहा है। यादों की एक ऐसी श्रेणी को आमतौर पर मेमिस्टर (मेमोरी रेसिस्टर के लिए एक संक्षिप्त नाम) के रूप में जाना जाता है, जो विद्युत संकेतों के माध्यम से डेटा को स्टोर और प्रोसेस कर सकता है।

हाल ही में, सेंटर फॉर नैनो एंड सॉफ्ट मैटर साइंसेज (CeNS), बैंगलोर, विज्ञान और प्रौद्योगिकी विभाग (DST), सरकार की एक स्वायत्त संस्था के शोधकर्ता। भारत सरकार ने ऑक्साइड तिरछी नैनोरोड सरणियों में टी पर आधारित ऐसी कार्यात्मक मेमोरी डिजाइन की है जो उच्च-घनत्व और उच्च-कुशल कंप्यूटिंग सिस्टम के विकास के लिए बड़ी क्षमता दिखाती है । इस स्थिर स्मृति में ( गैर-रैखिक निष्क्रिय दो-टर्मिनल विद्युत घटक जो उच्च और निम्न प्रतिरोध राज्यों के बीच अपने आंतरिक प्रतिरोध को बदलता है), दोनों ऑप्टिकल और विद्युत उत्तेजनाओं का उपयोग बहुस्तरीय सेल ऑपरेशन सहित स्विचिंग विशेषताओं को संशोधित करने के लिए किया जा सकता है।

सीईएनएस टीम में स्वाति एसपी, अथिरा एम., और एस. अंगप्पन शामिल हैं, जिन्होंने फोटोनिक मेमोरी विकसित की है जिसमें टिन ऑक्साइड तिरछी नैनोरोड सरणियों को एक सक्रिय परत के रूप में उपयोग किया जाता है। टिन ऑक्साइड नैनोसंरचना इलेक्ट्रॉन-बीम वाष्पीकरण द्वारा एक तकनीक के माध्यम से तैयार की जाती है जिसे ग्लान्सिंग एंगल डिपोजिशन (GLAD) तकनीक कहा जाता है।

प्रकाश की रोशनी पर डिवाइस की सक्रिय परत में करंट की कमी से नकारात्मक फोटो प्रतिक्रिया की विशेषता होती है। उन्होंने पाया कि ये डिवाइस एलआरएस के लिए विद्युत रूप से एसईटी (वोल्टेज पूर्वाग्रह लागू करके डिवाइस को उच्च से निम्न प्रतिरोध स्थिति में स्विच करना) और एचआरएस के लिए वैकल्पिक रूप से रीसेट (डिवाइस को निम्न से उच्च प्रतिरोध स्थिति में स्विच करना) हो सकते हैं।

स्रोत